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成果发布DZXX0024]一种含有量子阱的外延片、Micro-LED阵列芯片及其制备

发布日期:2024-12-11 11:02 浏览次数:

  本发明涉及半导体技术领域,特别涉及一种含有量子阱的外延片、Micro-LED阵列芯片及其制备方法。该外延片包括由下至上依次设置的蓝宝石衬底、第一掺杂层、多量子阱层和第二掺杂层;其中,所述蓝宝石衬底上设置有若干个阵列分布的岛状结构,相邻的岛状结构之间形成凹陷结构,所述第一掺杂层、多量子阱层和第二掺杂层,设置在所述凹陷结构内。以此外延片为组件制得的Micro-LED阵列芯片,可以实现将更多的像素集成在同一块芯片上,且每个像素可以做到几十微米甚至更小,大大提升了Micro-LED显示的分辨率。由于Micro-LED阵列是通过微纳的工艺和新型半导体工艺在同一芯片上加工集成的,因此相比巨量转移后的Micro-LED显示器件就有更高的一致性、紧凑性以及更短的制备周期与成品可靠性。

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